បង្កប់ - អេហ្វ។ អេ។ អេ។ អេស .។ | សៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា (អាយស៊ីអេស) | 99

LFE2M70E-7FN1152C

ចំណែកផ្នែក: 311

ចំនួន LABs / CLBs: 8375, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 67000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 4642816, ចំនួន I / O: 436, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152C

ចំណែកផ្នែក: 198

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-6FN900I

ចំណែកផ្នែក: 310

ចំនួន LABs / CLBs: 6250, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 25000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 1966080, ចំនួន I / O: 378, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 0.95V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-6LFN1156I

ចំណែកផ្នែក: 306

ចំនួន LABs / CLBs: 18625, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 149000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 7014400, ចំនួន I / O: 586, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152C

ចំណែកផ្នែក: 219

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN1152I

ចំណែកផ្នែក: 242

ចំនួន LABs / CLBs: 8375, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 67000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 4642816, ចំនួន I / O: 436, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900C

ចំណែកផ្នែក: 340

ចំនួន LABs / CLBs: 6250, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 25000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 1966080, ចំនួន I / O: 378, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 0.95V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-5FN900I

ចំណែកផ្នែក: 301

ចំនួន LABs / CLBs: 6250, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 25000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 1966080, ចំនួន I / O: 378, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 0.95V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-7FN900C

ចំណែកផ្នែក: 281

ចំនួន LABs / CLBs: 8375, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 67000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 4642816, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN1152I

ចំណែកផ្នែក: 298

ចំនួន LABs / CLBs: 8375, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 67000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 4642816, ចំនួន I / O: 436, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900I

ចំណែកផ្នែក: 201

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900C

ចំណែកផ្នែក: 230

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152I

ចំណែកផ្នែក: 165

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900I

ចំណែកផ្នែក: 262

ចំនួន LABs / CLBs: 6250, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 25000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 1966080, ចំនួន I / O: 378, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 0.95V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-7FN900C

ចំណែកផ្នែក: 300

ចំនួន LABs / CLBs: 6250, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 25000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 1966080, ចំនួន I / O: 378, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 0.95V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-7FN900C

ចំណែកផ្នែក: 266

ចំនួន LABs / CLBs: 6250, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 25000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 1966080, ចំនួន I / O: 378, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 0.95V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900C

ចំណែកផ្នែក: 230

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152I

ចំណែកផ្នែក: 186

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN1152C

ចំណែកផ្នែក: 278

ចំនួន LABs / CLBs: 8375, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 67000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 4642816, ចំនួន I / O: 436, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN900C

ចំណែកផ្នែក: 226

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152C

ចំណែកផ្នែក: 196

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN900I

ចំណែកផ្នែក: 265

ចំនួន LABs / CLBs: 8375, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 67000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 4642816, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152I

ចំណែកផ្នែក: 219

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN900I

ចំណែកផ្នែក: 356

ចំនួន LABs / CLBs: 8375, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 67000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 4642816, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156I

ចំណែកផ្នែក: 282

ចំនួន LABs / CLBs: 18625, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 149000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 7014400, ចំនួន I / O: 586, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900C

ចំណែកផ្នែក: 249

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900I

ចំណែកផ្នែក: 191

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN900I

ចំណែកផ្នែក: 274

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152I

ចំណែកផ្នែក: 153

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152C

ចំណែកផ្នែក: 205

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-7FN900C

ចំណែកផ្នែក: 242

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-7LFN1156I

ចំណែកផ្នែក: 236

ចំនួន LABs / CLBs: 18625, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 149000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 7014400, ចំនួន I / O: 586, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN900C

ចំណែកផ្នែក: 311

ចំនួន LABs / CLBs: 8375, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 67000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 4642816, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156C

ចំណែកផ្នែក: 364

ចំនួន LABs / CLBs: 18625, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 149000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 7014400, ចំនួន I / O: 586, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900I

ចំណែកផ្នែក: 172

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 416, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN1152C

ចំណែកផ្នែក: 136

ចំនួន LABs / CLBs: 11875, ចំនួនធាតុឡូជីខល / កោសិកា: 95000, ប៊ីតរ៉េមសរុប: 5435392, ចំនួន I / O: 520, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 1.14V ~ 1.26V,

បញ្ជីប្រាថ្នា