ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

IXFH8N80

ចំណែកផ្នែក: 11108

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFH86N30T

ចំណែកផ្នែក: 10056

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 86A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 43A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTV98N20T

ចំណែកផ្នែក: 12315

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 98A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH4N150

ចំណែកផ្នែក: 12178

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFT120N15P

ចំណែកផ្នែក: 10841

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTT36P10

ចំណែកផ្នែក: 12248

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFH4N100Q

ចំណែកផ្នែក: 11104

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTQ72N30T

ចំណែកផ្នែក: 13771

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTT120N15P

ចំណែកផ្នែក: 11023

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTT110N10P

ចំណែកផ្នែក: 12610

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 110A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTQ102N25T

ចំណែកផ្នែក: 13714

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 102A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTP3N110

ចំណែកផ្នែក: 11137

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFT4N100Q

ចំណែកផ្នែក: 10370

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH72N20

ចំណែកផ្នែក: 8296

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTY01N100

ចំណែកផ្នែក: 34732

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTQ120N15T

ចំណែកផ្នែក: 15431

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH72N30T

ចំណែកផ្នែក: 13301

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFH150N17T2

ចំណែកផ្នែក: 10652

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 175V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTV102N25T

ចំណែកផ្នែក: 12241

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 102A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFH7N80

ចំណែកផ្នែក: 7016

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFV16N80P

ចំណែកផ្នែក: 12651

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH36N50P

ចំណែកផ្នែក: 10717

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH102N25T

ចំណែកផ្នែក: 13298

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 102A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTT64N25P

ចំណែកផ្នែក: 13161

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 64A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH130N15T

ចំណែកផ្នែក: 13288

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 130A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 65A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFR36N50P

ចំណែកផ្នែក: 7905

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 19A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH6N90A

ចំណែកផ្នែក: 7733

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTQ130N15T

ចំណែកផ្នែក: 13736

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 130A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 65A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTV60N30T

ចំណែកផ្នែក: 12351

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH6N90

ចំណែកផ្នែក: 8548

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFT26N50

ចំណែកផ្នែក: 7336

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 26A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFT36N60P

ចំណែកផ្នែក: 8279

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTH75N15

ចំណែកផ្នែក: 8762

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXTQ96N25T

ចំណែកផ្នែក: 15426

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 96A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXFA3N80

ចំណែកផ្នែក: 11264

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 500mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IXT-1-1N100S1-TR

IXT-1-1N100S1-TR

ចំណែកផ្នែក: 9254

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.5A (Tc),

បញ្ជីប្រាថ្នា

2148

«
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
»