ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side or Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 12V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: 3-Phase, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: 3-Phase, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 11.5V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 6V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: 3-Phase, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4V ~ 5.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 0V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 5V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: 3-Phase, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3.3V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: 3-Phase, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
