Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ
IDH15S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 889

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 15A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 15A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

ចំណែកផ្នែក: 20456

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.1V @ 12A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 817

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.3V @ 4A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 891

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 5A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 5A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 855

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.3V @ 3A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH05SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 839

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 5A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.3V @ 5A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH02SG120XKSA1
Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

ចំណែកផ្នែក: 831

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 2A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH10SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 816

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 10A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.1V @ 10A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

ចំណែកផ្នែក: 813

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.3V @ 6A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH10S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 888

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 10A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 10A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 810

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 7.5A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 7.5A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH12SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 900

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.1V @ 12A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDB06S60C
Infineon Technologies

IDB06S60C

ចំណែកផ្នែក: 5151

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 6A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

ចំណែកផ្នែក: 811

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 8A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.1V @ 8A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH06SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 5122

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.3V @ 6A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 828

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.9V @ 2A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH09SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

ចំណែកផ្នែក: 812

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 9A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.1V @ 9A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDB10S60C
Infineon Technologies

IDB10S60C

ចំណែកផ្នែក: 875

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 10A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 10A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDD04SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

ចំណែកផ្នែក: 834

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 5.6A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.3V @ 4A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH06S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

ចំណែកផ្នែក: 502

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 6A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC06D60C6
Infineon Technologies

SIDC06D60C6

ចំណែកផ្នែក: 477

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 20A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.95V @ 20A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC78D170HX1SA1
Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

ចំណែកផ្នែក: 521

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1700V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 150A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 150A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
IDH04S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

ចំណែកផ្នែក: 556

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.9V @ 4A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC09D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

ចំណែកផ្នែក: 552

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 20A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC30D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

ចំណែកផ្នែក: 571

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 75A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 75A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC73D170E6X1SA2
Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

ចំណែកផ្នែក: 517

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1700V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 100A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.15V @ 100A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC16D60SIC3
Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

ចំណែកផ្នែក: 502

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 5A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 5A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC56D120E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

ចំណែកផ្នែក: 5106

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 75A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.9V @ 75A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC23D120F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

ចំណែកផ្នែក: 552

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 25A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.1V @ 25A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC09D60E6YX1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

ចំណែកផ្នែក: 523

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 20A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC08D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

ចំណែកផ្នែក: 497

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 30A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.95V @ 30A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC14D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

ចំណែកផ្នែក: 543

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 50A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.9V @ 50A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC08D120H6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

ចំណែកផ្នែក: 504

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 10A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 10A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC56D170E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

ចំណែកផ្នែក: 577

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1700V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 75A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.15V @ 75A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC09D60E6 UNSAWN
Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

ចំណែកផ្នែក: 518

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 20A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIDC02D60F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

ចំណែកផ្នែក: 525

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 3A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា