Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ
IRL6342PBF
Infineon Technologies

IRL6342PBF

ចំណែកផ្នែក: 6116

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFS4228TRLPBF
Infineon Technologies

IRFS4228TRLPBF

ចំណែកផ្នែក: 939

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 83A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 33A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRLHM620TR2PBF
Infineon Technologies

IRLHM620TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 1044

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 26A (Ta), 40A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF8113GTRPBF
Infineon Technologies

IRF8113GTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 963

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17.2A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFH5306TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5306TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 897

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), 44A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPD70N04S3-07
Infineon Technologies

IPD70N04S3-07

ចំណែកផ្នែក: 879

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 82A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 70A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPB120N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies

IPB120N06S4H1ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 883

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPP065N04N G
Infineon Technologies

IPP065N04N G

ចំណែកផ្នែក: 913

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 50A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPP60R600C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R600C6XKSA1

ចំណែកផ្នែក: 877

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPI90N06S404AKSA1
Infineon Technologies

IPI90N06S404AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 75330

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 90A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF3703PBF
Infineon Technologies

IRF3703PBF

ចំណែកផ្នែក: 23090

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 210A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 7V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 76A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFB3307PBF
Infineon Technologies

IRFB3307PBF

ចំណែកផ្នែក: 29807

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 130A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF7459TRPBF
Infineon Technologies

IRF7459TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 1014

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.8V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPI80P03P4L04AKSA1
Infineon Technologies

IPI80P03P4L04AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 59340

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 80A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 80A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPB80N06S4L07ATMA1
Infineon Technologies

IPB80N06S4L07ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 962

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 80A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 80A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPP60R750E6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R750E6XKSA1

ចំណែកផ្នែក: 93037

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.7A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPP60R520E6XKSA1
Infineon Technologies

IPP60R520E6XKSA1

ចំណែកផ្នែក: 71686

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.1A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPP80N06S407AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N06S407AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 907

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 80A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 80A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFH5220TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5220TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 1076

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.8A (Ta), 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 99.9 mOhm @ 5.8A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPD320N20N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD320N20N3GBTMA1

ចំណែកផ្នែក: 888

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 34A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 34A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPP80N04S3H4AKSA1
Infineon Technologies

IPP80N04S3H4AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 77103

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 80A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 80A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFH5015TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5015TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 874

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Ta), 56A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 34A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPD30N06S4L23ATMA1
Infineon Technologies

IPD30N06S4L23ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 875

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF6665TR1
Infineon Technologies

IRF6665TR1

ចំណែកផ្នែក: 982

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.2A (Ta), 19A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPD50N06S409ATMA1
Infineon Technologies

IPD50N06S409ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 935

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRLH5034TR2PBF
Infineon Technologies

IRLH5034TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 981

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 29A (Ta), 100A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF7807ATRPBF
Infineon Technologies

IRF7807ATRPBF

ចំណែកផ្នែក: 1023

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.3A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF7494TRPBF
Infineon Technologies

IRF7494TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 1020

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.1A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 3.1A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFH5255TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5255TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 915

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), 51A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF1404ZPBF
Infineon Technologies

IRF1404ZPBF

ចំណែកផ្នែក: 35746

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPI120N06S403AKSA1
Infineon Technologies

IPI120N06S403AKSA1

ចំណែកផ្នែក: 967

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 100A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IPB60R600CPATMA1
Infineon Technologies

IPB60R600CPATMA1

ចំណែកផ្នែក: 906

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.1A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFH5255TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5255TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 929

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), 51A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFH5206TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5206TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 954

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Ta), 89A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 50A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF7406GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7406GTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 954

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 2.8A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRL1004STRLPBF
Infineon Technologies

IRL1004STRLPBF

ចំណែកផ្នែក: 6163

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 130A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 78A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា