ការចងចាំ

AS4C512M8D3-12BCN

AS4C512M8D3-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 1338

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M8D3L-12BCN

AS4C256M8D3L-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 1293

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M8D3L-12BIN

AS4C256M8D3L-12BIN

ចំណែកផ្នែក: 1312

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M8D3-12BAN

AS4C256M8D3-12BAN

ចំណែកផ្នែក: 10898

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M8D3-12BCN

AS4C256M8D3-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 13168

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M16D3L-12BCN

AS4C256M16D3L-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 7975

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M16D3-12BIN

AS4C256M16D3-12BIN

ចំណែកផ្នែក: 1139

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M16D3L-12BIN

AS4C256M16D3L-12BIN

ចំណែកផ្នែក: 5147

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M16D3-12BAN

AS4C256M16D3-12BAN

ចំណែកផ្នែក: 5903

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C256M16D3-12BCN

AS4C256M16D3-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 1054

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C128M8D3-12BCN

AS4C128M8D3-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 1033

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C128M8D3-12BAN

AS4C128M8D3-12BAN

ចំណែកផ្នែក: 1056

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C128M8D3L-12BCN

AS4C128M8D3L-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 975

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C128M16D3L-12BIN

AS4C128M16D3L-12BIN

ចំណែកផ្នែក: 1006

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C128M16D3-12BIN

AS4C128M16D3-12BIN

ចំណែកផ្នែក: 974

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C128M16D3L-12BCN

AS4C128M16D3L-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 924

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C128M16D3-12BCN

AS4C128M16D3-12BCN

ចំណែកផ្នែក: 904

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C128M16D3-12BAN

AS4C128M16D3-12BAN

ចំណែកផ្នែក: 957

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 800MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C64M16D2-25BAN

AS4C64M16D2-25BAN

ចំណែកផ្នែក: 11358

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C4M32D1-5BCN

AS4C4M32D1-5BCN

ចំណែកផ្នែក: 9952

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 128Mb (4M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C4M32S-6TCN

AS4C4M32S-6TCN

ចំណែកផ្នែក: 9585

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (4M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C32M16MD1-6BCN

AS4C32M16MD1-6BCN

ចំណែកផ្នែក: 9495

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C2M32S-5TCN

AS4C2M32S-5TCN

ចំណែកផ្នែក: 9489

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (2M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C2M32S-6TCN

AS4C2M32S-6TCN

ចំណែកផ្នែក: 9391

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (2M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C4M32S-6TCNTR

AS4C4M32S-6TCNTR

ចំណែកផ្នែក: 9412

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (4M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C4M32S-6TINTR

AS4C4M32S-6TINTR

ចំណែកផ្នែក: 9362

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (4M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C32M16MD1-6BCNTR

AS4C32M16MD1-6BCNTR

ចំណែកផ្នែក: 9377

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C2M32S-6TCNTR

AS4C2M32S-6TCNTR

ចំណែកផ្នែក: 9302

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (2M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C2M32S-5TCNTR

AS4C2M32S-5TCNTR

ចំណែកផ្នែក: 9293

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (2M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C16M16S-6BINTR

AS4C16M16S-6BINTR

ចំណែកផ្នែក: 9249

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (16M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

ចំណែកផ្នែក: 8944

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C16M16S-6BIN

AS4C16M16S-6BIN

ចំណែកផ្នែក: 8863

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (16M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C4M16S-6BIN

AS4C4M16S-6BIN

ចំណែកផ្នែក: 8833

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C4M32S-6TIN

AS4C4M32S-6TIN

ចំណែកផ្នែក: 8787

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (4M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 2ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C64M16D2-25BIN

AS4C64M16D2-25BIN

ចំណែកផ្នែក: 12526

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
AS4C64M16D2-25BCN

AS4C64M16D2-25BCN

ចំណែកផ្នែក: 14697

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា