Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

ចំណែកផ្នែក: 12061

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 12A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

ចំណែកផ្នែក: 9557

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 12A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

ចំណែកផ្នែក: 14337

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 35A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 35A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

ចំណែកផ្នែក: 7092

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 60A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

ចំណែកផ្នែក: 15967

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 12A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

ចំណែកផ្នែក: 10679

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 40A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

ចំណែកផ្នែក: 11089

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 40A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

ចំណែកផ្នែក: 7743

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 60A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N1186A
GeneSiC Semiconductor

1N1186A

ចំណែកផ្នែក: 11112

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 40A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3768R
GeneSiC Semiconductor

1N3768R

ចំណែកផ្នែក: 7145

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 35A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 35A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N2130AR
GeneSiC Semiconductor

1N2130AR

ចំណែកផ្នែក: 10388

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 60A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3892
GeneSiC Semiconductor

1N3892

ចំណែកផ្នែក: 11891

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 12A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3879
GeneSiC Semiconductor

1N3879

ចំណែកផ្នែក: 12395

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 6A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3881R
GeneSiC Semiconductor

1N3881R

ចំណែកផ្នែក: 11499

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 6A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3881
GeneSiC Semiconductor

1N3881

ចំណែកផ្នែក: 12277

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 6A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3883
GeneSiC Semiconductor

1N3883

ចំណែកផ្នែក: 9906

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 6A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3879R
GeneSiC Semiconductor

1N3879R

ចំណែកផ្នែក: 15729

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 6A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3892R
GeneSiC Semiconductor

1N3892R

ចំណែកផ្នែក: 11929

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 12A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3883R
GeneSiC Semiconductor

1N3883R

ចំណែកផ្នែក: 9515

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 6A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 6A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N8035-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

ចំណែកផ្នែក: 457

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 14.6A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 15A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N8034-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8034-GA

ចំណែកផ្នែក: 435

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 9.4A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.34V @ 10A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N8028-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

ចំណែកផ្នែក: 456

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 9.4A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 10A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

ចំណែកផ្នែក: 472

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 1A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N3889R
GeneSiC Semiconductor

1N3889R

ចំណែកផ្នែក: 12088

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 12A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N8033-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8033-GA

ចំណែកផ្នែក: 413

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4.3A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.65V @ 5A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR3530R
GeneSiC Semiconductor

MBR3530R

ចំណែកផ្នែក: 5706

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 35A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 680mV @ 35A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SD4145R
GeneSiC Semiconductor

SD4145R

ចំណែកផ្នែក: 6557

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 680mV @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S40MR
GeneSiC Semiconductor

S40MR

ចំណែកផ្នែក: 9616

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 40A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S150Q
GeneSiC Semiconductor

S150Q

ចំណែកផ្នែក: 2529

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 150A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR8060R
GeneSiC Semiconductor

MBR8060R

ចំណែកផ្នែក: 5428

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 80A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 80A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR6035
GeneSiC Semiconductor

MBR6035

ចំណែកផ្នែក: 5414

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRH12030
GeneSiC Semiconductor

MBRH12030

ចំណែកផ្នែក: 2907

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 120A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 120A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S300B
GeneSiC Semiconductor

S300B

ចំណែកផ្នែក: 2041

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 300A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S380ZR
GeneSiC Semiconductor

S380ZR

ចំណែកផ្នែក: 2007

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 2000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 380A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 380A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR12DR05
GeneSiC Semiconductor

FR12DR05

ចំណែកផ្នែក: 16846

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 12A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 500ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MURH7010
GeneSiC Semiconductor

MURH7010

ចំណែកផ្នែក: 31

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 70A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 70A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 75ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា