Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ
S400KR
GeneSiC Semiconductor

S400KR

ចំណែកផ្នែក: 2009

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 400A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 400A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
SD4145
GeneSiC Semiconductor

SD4145

ចំណែកផ្នែក: 6509

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 680mV @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR12M05
GeneSiC Semiconductor

FR12M05

ចំណែកផ្នែក: 9525

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 12A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 12A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 500ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S85YR
GeneSiC Semiconductor

S85YR

ចំណែកផ្នែក: 7151

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 85A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 85A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
GB02SLT12-214
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

ចំណែកផ្នែក: 28962

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 1A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

ចំណែកផ្នែក: 37909

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2V @ 1A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
GB02SHT01-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

ចំណែកផ្នែក: 1555

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S40Q
GeneSiC Semiconductor

S40Q

ចំណែកផ្នែក: 7175

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 40A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR85JR02
GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

ចំណែកផ្នែក: 5989

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 85A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 85A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 250ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR70G02
GeneSiC Semiconductor

FR70G02

ចំណែកផ្នែក: 9642

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 70A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 70A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
GB20SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

ចំណែកផ្នែក: 2856

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2V @ 20A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S300YR
GeneSiC Semiconductor

S300YR

ចំណែកផ្នែក: 1824

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 300A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S40B
GeneSiC Semiconductor

S40B

ចំណែកផ្នែក: 11196

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 40A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
GB02SLT12-220
GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

ចំណែកផ្នែក: 17999

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 2A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

ចំណែកផ្នែក: 4212

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 80A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 80A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR30J02
GeneSiC Semiconductor

FR30J02

ចំណែកផ្នែក: 7131

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRH20045
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

ចំណែកផ្នែក: 2177

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S85VR
GeneSiC Semiconductor

S85VR

ចំណែកផ្នែក: 7084

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 85A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 85A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR3560R
GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

ចំណែកផ្នែក: 4392

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 35A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 35A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR85JR05
GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

ចំណែកផ្នែក: 5997

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 85A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 85A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 500ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S85Q
GeneSiC Semiconductor

S85Q

ចំណែកផ្នែក: 7124

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 85A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 85A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S40KR
GeneSiC Semiconductor

S40KR

ចំណែកផ្នែក: 8348

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 40A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR40G02
GeneSiC Semiconductor

FR40G02

ចំណែកផ្នែក: 7130

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 40A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRH12040R
GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

ចំណែកផ្នែក: 2457

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 120A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 120A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
GB02SHT03-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

ចំណែកផ្នែក: 1505

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRH20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

ចំណែកផ្នែក: 2179

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
GB50SLT12-247
GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

ចំណែកផ្នែក: 771

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 50A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.8V @ 50A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

ចំណែកផ្នែក: 7134

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 40A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 40A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 500ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

ចំណែកផ្នែក: 7177

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
GB02SHT06-46
GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

ចំណែកផ្នែក: 1373

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 4A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.6V @ 1A, ល្បឿន: No Recovery Time > 500mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 0ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR70GR02
GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

ចំណែកផ្នែក: 7175

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 70A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.4V @ 70A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FR30G02
GeneSiC Semiconductor

FR30G02

ចំណែកផ្នែក: 7099

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 200ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S85JR
GeneSiC Semiconductor

S85JR

ចំណែកផ្នែក: 7155

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 85A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 85A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR3545
GeneSiC Semiconductor

MBR3545

ចំណែកផ្នែក: 4428

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 35A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 680mV @ 35A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S300Y
GeneSiC Semiconductor

S300Y

ចំណែកផ្នែក: 1833

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 300A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S85J
GeneSiC Semiconductor

S85J

ចំណែកផ្នែក: 7670

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 85A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 85A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា