Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ
MBRTA60045R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045R

ចំណែកផ្នែក: 4222

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA80045L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045L

ចំណែកផ្នែក: 4310

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 600mV @ 400A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA800150R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800150R

ចំណែកផ្នែក: 4310

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 400A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF40080
GeneSiC Semiconductor

MBRF40080

ចំណែកផ្នែក: 4252

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MURF30010
GeneSiC Semiconductor

MURF30010

ចំណែកផ្នែក: 4437

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 150A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF400100
GeneSiC Semiconductor

MBRF400100

ចំណែកផ្នែក: 4245

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF40030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40030R

ចំណែកផ្នែក: 4263

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF40045
GeneSiC Semiconductor

MBRF40045

ចំណែកផ្នែក: 4277

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FST16035L
GeneSiC Semiconductor

FST16035L

ចំណែកផ្នែក: 4432

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 80A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 600mV @ 80A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF12035
GeneSiC Semiconductor

MBRF12035

ចំណែកផ្នែក: 4243

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FST16040L
GeneSiC Semiconductor

FST16040L

ចំណែកផ្នែក: 4172

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 80A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 600mV @ 80A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA50045R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50045R

ចំណែកផ្នែក: 4270

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 250A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA80020
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020

ចំណែកផ្នែក: 4268

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 400A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA60040R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60040R

ចំណែកផ្នែក: 4291

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF60035
GeneSiC Semiconductor

MBRF60035

ចំណែកផ្នែក: 4229

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FST7340M
GeneSiC Semiconductor

FST7340M

ចំណែកផ្នែក: 4218

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 35A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 35A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA50035
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50035

ចំណែកផ្នែក: 4218

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 250A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF12080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12080R

ចំណែកផ្នែក: 4284

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA50060R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50060R

ចំណែកផ្នែក: 4234

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 250A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA500100R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500100R

ចំណែកផ្នែក: 4254

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 250A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA500150
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500150

ចំណែកផ្នែក: 4222

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 250A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MURF40020R
GeneSiC Semiconductor

MURF40020R

ចំណែកផ្នែក: 4294

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF12040
GeneSiC Semiconductor

MBRF12040

ចំណែកផ្នែក: 4234

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRT40020L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40020L

ចំណែកផ្នែក: 4419

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 580mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF30030
GeneSiC Semiconductor

MBRF30030

ចំណែកផ្នែក: 4289

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA80040R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040R

ចំណែកផ្នែក: 4290

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 400A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
UFT14010
GeneSiC Semiconductor

UFT14010

ចំណែកផ្នែក: 4261

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 70A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 70A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF20020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20020R

ចំណែកផ្នែក: 4271

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR40035CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR40035CTL

ចំណែកផ្នែក: 4250

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 600mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA80020R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020R

ចំណែកផ្នែក: 4271

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 400A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRTA600200R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA600200R

ចំណែកផ្នែក: 4263

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR30045CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTL

ចំណែកផ្នែក: 4160

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 600mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR60045CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTRL

ចំណែកផ្នែក: 4210

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 600mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF60020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60020R

ចំណែកផ្នែក: 4281

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MBR30035CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTRL

ចំណែកផ្នែក: 4165

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 600mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា
UFT10060
GeneSiC Semiconductor

UFT10060

ចំណែកផ្នែក: 4325

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 50A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 50A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា