ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 25

MBR2X060A120

ចំណែកផ្នែក: 3792

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

FST10040

ចំណែកផ្នែក: 1576

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MURTA30020R

ចំណែកផ្នែក: 933

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 150A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

FST100150

ចំណែកផ្នែក: 1653

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 50A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 50A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR60020CT

ចំណែកផ្នែក: 970

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030

ចំណែកផ្នែក: 1396

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CT

ចំណែកផ្នែក: 1411

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR20040CT

ចំណែកផ្នែក: 1223

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 50A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020

ចំណែកផ្នែក: 1075

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 500A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A04

ចំណែកផ្នែក: 3090

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 120A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR40020CTR

ចំណែកផ្នែក: 1219

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 125A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MSRT100120(A)D

ចំណែកផ្នែក: 1932

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 100A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200

ចំណែកផ្នែក: 1527

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A100

ចំណែកផ្នែក: 3980

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CTR

ចំណែកផ្នែក: 1169

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 500A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)D

ចំណែកផ្នែក: 1406

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MURT30005R

ចំណែកផ្នែក: 1110

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

FST10080

ចំណែកផ្នែក: 1594

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR20030CTR

ចំណែកផ្នែក: 1551

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTR

ចំណែកផ្នែក: 939

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT500200

ចំណែកផ្នែក: 1086

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 250A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

FST16040

ចំណែកផ្នែក: 1522

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 160A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 160A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR30060CT

ចំណែកផ្នែក: 1418

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CTR

ចំណែកផ្នែក: 1590

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035R

ចំណែកផ្នែក: 1858

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT400200R

ចំណែកផ្នែក: 3118

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045R

ចំណែកផ្នែក: 1299

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR30010CT

ចំណែកផ្នែក: 1376

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100

ចំណែកផ្នែក: 1466

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR40030CTR

ចំណែកផ្នែក: 1565

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CTR

ចំណែកផ្នែក: 1550

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 120A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR10060CTR

ចំណែកផ្នែក: 1583

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 50A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR40030CT

ចំណែកផ្នែក: 1519

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CT

ចំណែកផ្នែក: 1537

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 120A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080

ចំណែកផ្នែក: 1821

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT20080R

ចំណែកផ្នែក: 1417

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

បញ្ជីប្រាថ្នា