ការចងចាំ

MB85RC16VPNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 8652

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

ចំណែកផ្នែក: 5900

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256GPF-G-BNDE1

ចំណែកផ្នែក: 8589

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPF-G-BNDE1

ចំណែកផ្នែក: 5898

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPF-G-BND-ERE1

ចំណែកផ្នែក: 8573

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16VPNF-G-JNE1

ចំណែកផ្នែក: 83162

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256BPNF-G-JNE1

ចំណែកផ្នែក: 4627

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 33MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128BPNF-G-JNE1

ចំណែកផ្នែក: 24522

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 33MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4002ANC-GE1

ចំណែកផ្នែក: 5910

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4001ANC-GE1

ចំណែកផ្នែក: 5917

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4M2TFN-G-ASE1

ចំណែកផ្នែក: 5602

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R1001ANC-GE1

ចំណែកផ្នែក: 8682

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTPH-G-JNE1

ចំណែកផ្នែក: 12664

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 25MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTPF-G-JNERE2

ចំណែកផ្នែក: 13616

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 25MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RQ4MLPF-G-BCERE1

ចំណែកផ្នែក: 9454

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPH-G-JNE1

ចំណែកផ្នែក: 12974

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R1002ANC-GE1

ចំណែកផ្នែក: 11659

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTAPH-G-JNE2

ចំណែកផ្នែក: 1254

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

ចំណែកផ្នែក: 14925

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPNF-G-JNERE2

ចំណែកផ្នែក: 160

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

ចំណែកផ្នែក: 16052

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 150ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: ReRAM (Resistive RAM), ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 5MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 17ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 21629

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 3.4MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 18230

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 3.4MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPW-G-APEWE1

ចំណែកផ្នែក: 18188

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 18207

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS512TPNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 21656

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 30MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1

ចំណែកផ្នែក: 205

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 33MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128BPNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 36051

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 33MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC256VPF-G-JNERE2

ចំណែកផ្នែក: 32025

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC128APNF-G-JNE1

ចំណែកផ្នែក: 28871

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 31777

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256APNF-G-JNE1

ចំណែកផ្នែក: 25238

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 25MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 31758

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 33MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128APNF-G-JNE1

ចំណែកផ្នែក: 34694

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 25MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC128APNF-G-JNERE1

ចំណែកផ្នែក: 42528

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 128Kb (16K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា

ចំណែកផ្នែក: 8652

ចំណែកផ្នែក: 5900

ចំណែកផ្នែក: 8589

ចំណែកផ្នែក: 5898

ចំណែកផ្នែក: 8573

ចំណែកផ្នែក: 83162

ចំណែកផ្នែក: 4627

ចំណែកផ្នែក: 24522

ចំណែកផ្នែក: 5910

ចំណែកផ្នែក: 5917

ចំណែកផ្នែក: 5602

ចំណែកផ្នែក: 8682

ចំណែកផ្នែក: 12664

ចំណែកផ្នែក: 13616

ចំណែកផ្នែក: 9454

ចំណែកផ្នែក: 12974

ចំណែកផ្នែក: 11659

ចំណែកផ្នែក: 1254

ចំណែកផ្នែក: 14925

ចំណែកផ្នែក: 160

ចំណែកផ្នែក: 16052

ចំណែកផ្នែក: 17745

ចំណែកផ្នែក: 21629

ចំណែកផ្នែក: 18230

ចំណែកផ្នែក: 18188

ចំណែកផ្នែក: 18207

ចំណែកផ្នែក: 21656

ចំណែកផ្នែក: 205

ចំណែកផ្នែក: 36051

ចំណែកផ្នែក: 32025

ចំណែកផ្នែក: 28871

ចំណែកផ្នែក: 31777

ចំណែកផ្នែក: 25238

ចំណែកផ្នែក: 31758

ចំណែកផ្នែក: 34694

ចំណែកផ្នែក: 42528