ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 2

EPC2203

ចំណែកផ្នែក: 59185

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.7A, វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

EPC

EPC2014C

ចំណែកផ្នែក: 107624

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

EPC

EPC8002

ចំណែកផ្នែក: 49093

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 65V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

EPC

EPC2037

ចំណែកផ្នែក: 128582

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

EPC

EPC2040

ចំណែកផ្នែក: 113264

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 15V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.4A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 1.5A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

EPC

EPC2039

ចំណែកផ្នែក: 105727

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

EPC

EPC2016C

ចំណែកផ្នែក: 65843

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 18A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

EPC

EPC2038

ចំណែកផ្នែក: 148654

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

EPC

EPC2036

ចំណែកផ្នែក: 150786

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា