ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side or Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 5V ~ 25V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side or Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 5V ~ 15V,
ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 12V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, SiC MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 40V (Max),
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 40V (Max),
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 25V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 12V (Max),
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 5V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 25V (Max),
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 40V (Max),
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 3.5V ~ 40V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 20V (Max),
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
