ការចងចាំ

S25FL032P0XNFI000

S25FL032P0XNFI000

ចំណែកផ្នែក: 9795

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XMFI003

S25FL129P0XMFI003

ចំណែកផ្នែក: 9999

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14V101QS-BK108XQ

CY14V101QS-BK108XQ

ចំណែកផ្នែក: 6476

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM24V02-GTR

FM24V02-GTR

ចំណែកផ្នែក: 8813

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 3.4MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FS512SAGNFB010

S25FS512SAGNFB010

ចំណែកផ្នែក: 8269

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14E256Q1A-SXI

CY14E256Q1A-SXI

ចំណែកផ្នែក: 229

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14E256Q2A-SXI

CY14E256Q2A-SXI

ចំណែកផ្នែក: 1436

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S26KL256SDABHN030

S26KL256SDABHN030

ចំណែកផ្នែក: 6631

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM25V20-DG

FM25V20-DG

ចំណែកផ្នែក: 9960

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL01GP11TFIR10

S29GL01GP11TFIR10

ចំណែកផ្នែក: 292

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 110ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM23MLD16-60-BG

FM23MLD16-60-BG

ចំណែកផ្នែក: 8984

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 8Mb (512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 115ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34ML04G100TFB003

S34ML04G100TFB003

ចំណែកផ្នែក: 4014

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S70FS01GSDSBHB210

S70FS01GSDSBHB210

ចំណែកផ្នែក: 5225

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 80MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XNFI013

S25FL129P0XNFI013

ចំណែកផ្នែក: 66

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL064J70BFI120

S29PL064J70BFI120

ចំណែកផ្នែក: 9318

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34ML04G100TFI003

S34ML04G100TFI003

ចំណែកផ្នែក: 673

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL032J70BAI122

S29PL032J70BAI122

ចំណែកផ្នែក: 500

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL01GT12DHN020

S29GL01GT12DHN020

ចំណែកផ្នែក: 5797

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL512P10TFIR10

S29GL512P10TFIR10

ចំណែកផ្នែក: 384

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 100ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM25V20-GTR

FM25V20-GTR

ចំណែកផ្នែក: 8991

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM25V20-PG

FM25V20-PG

ចំណែកផ្នែក: 9035

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XMFI001

S25FL129P0XMFI001

ចំណែកផ្នែក: 13260

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1264XV18-366BZXC

CY7C1264XV18-366BZXC

ចំណែកផ្នែក: 6839

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR II+, ទំហំសតិ: 36Mb (1M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 366MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1350G-133BGXC

CY7C1350G-133BGXC

ចំណែកផ្នែក: 9170

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 4.5Mb (128K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL216K0PMFI011

S25FL216K0PMFI011

ចំណែកផ្នែក: 281

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 65MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL01GT10TFI030

S29GL01GT10TFI030

ចំណែកផ្នែក: 165

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1570XV18-600BZXC

CY7C1570XV18-600BZXC

ចំណែកផ្នែក: 7003

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, DDR II+, ទំហំសតិ: 72Mb (2M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 600MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL032P0XMFI011

S25FL032P0XMFI011

ចំណែកផ្នែក: 29519

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34ML04G100BHA003

S34ML04G100BHA003

ចំណែកផ្នែក: 1810

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL512P11TFI020

S29GL512P11TFI020

ចំណែកផ្នែក: 431

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 110ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL256N11FFA010

S29GL256N11FFA010

ចំណែកផ្នែក: 5099

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 110ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY62157EV30LL-45ZXA

CY62157EV30LL-45ZXA

ចំណែកផ្នែក: 6385

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 8Mb (512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM25V20-G

FM25V20-G

ចំណែកផ្នែក: 8696

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1360C-166BZC

CY7C1360C-166BZC

ចំណែកផ្នែក: 5243

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 9Mb (256K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL032J70BAI120

S29PL032J70BAI120

ចំណែកផ្នែក: 421

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL01GS11TFV010

S29GL01GS11TFV010

ចំណែកផ្នែក: 5420

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា