ការចងចាំ

S26KL512SDABHN020

S26KL512SDABHN020

ចំណែកផ្នែក: 4187

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14V101QS-SE108XI

CY14V101QS-SE108XI

ចំណែកផ្នែក: 5659

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14MB064Q2A-SXIT

CY14MB064Q2A-SXIT

ចំណែកផ្នែក: 3698

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XBHI203

S25FL129P0XBHI203

ចំណែកផ្នែក: 9343

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL01GT12DHVV10

S29GL01GT12DHVV10

ចំណែកផ្នែក: 5096

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1425UV18-267BZI

CY7C1425UV18-267BZI

ចំណែកផ្នែក: 7090

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR II, ទំហំសតិ: 36Mb (4M x 9), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
STK17TA8-RF25

STK17TA8-RF25

ចំណែកផ្នែក: 6000

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
STK11C88-NF25

STK11C88-NF25

ចំណែកផ្នែក: 5820

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C131E-15NXI

CY7C131E-15NXI

ចំណែកផ្នែក: 3304

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Dual Port, Asynchronous, ទំហំសតិ: 8Kb (1K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1420UV18-300BZXC

CY7C1420UV18-300BZXC

ចំណែកផ្នែក: 7257

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, DDR II, ទំហំសតិ: 36Mb (1M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 300MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1353S-100AXCT

CY7C1353S-100AXCT

ចំណែកផ្នែក: 8138

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 4.5Mb (256K x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14B104N-BA25XCT

CY14B104N-BA25XCT

ចំណែកផ្នែក: 5601

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29WS512PABBFW000

S29WS512PABBFW000

ចំណែកផ្នែក: 4697

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14B104N-ZS20XCT

CY14B104N-ZS20XCT

ចំណែកផ្នែក: 5555

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 20ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1041CV33-10BAXET

CY7C1041CV33-10BAXET

ចំណែកផ្នែក: 4416

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S26KL512SDABHN030

S26KL512SDABHN030

ចំណែកផ្នែក: 4743

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CYD02S36VA-167BBXC

CYD02S36VA-167BBXC

ចំណែកផ្នែក: 4133

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Dual Port, Synchronous, ទំហំសតិ: 2Mb (64K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM25H20-G

FM25H20-G

ចំណែកផ្នែក: 701

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XMFV010

S25FL129P0XMFV010

ចំណែកផ្នែក: 9681

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1518JV18-250BZC

CY7C1518JV18-250BZC

ចំណែកផ្នែក: 6226

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, DDR II, ទំហំសតិ: 72Mb (4M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1612KV18-300BZC

CY7C1612KV18-300BZC

ចំណែកផ្នែក: 4071

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR II, ទំហំសតិ: 144Mb (8M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 300MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1471BV25-133BZXC

CY7C1471BV25-133BZXC

ចំណែកផ្នែក: 4125

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 72Mb (2M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C136E-25NXC

CY7C136E-25NXC

ចំណែកផ្នែក: 3328

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Dual Port, Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Kb (2K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C144E-55AXC

CY7C144E-55AXC

ចំណែកផ្នែក: 3227

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Dual Port, Asynchronous, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1423SV18-250BZC

CY7C1423SV18-250BZC

ចំណែកផ្នែក: 7176

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, DDR II, ទំហំសតិ: 36Mb (2M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL132K0XNFI011

S25FL132K0XNFI011

ចំណែកផ្នែក: 74741

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29WS064RABBHW000

S29WS064RABBHW000

ចំណែកផ្នែក: 14866

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1355S-133BGC

CY7C1355S-133BGC

ចំណែកផ្នែក: 7010

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 9Mb (256K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1354C-166AXI

CY7C1354C-166AXI

ចំណែកផ្នែក: 5545

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 9Mb (256K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14MB256J1-SXIT

CY14MB256J1-SXIT

ចំណែកផ្នែក: 3653

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 3.4MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1305TV25-167BZXC

CY7C1305TV25-167BZXC

ចំណែកផ្នែក: 9149

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, QDR, ទំហំសតិ: 18Mb (1M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C144E-15AXCT

CY7C144E-15AXCT

ចំណែកផ្នែក: 3918

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Dual Port, Asynchronous, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
STK11C68-5K35M

STK11C68-5K35M

ចំណែកផ្នែក: 5731

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S70FS01GSDSBHM213

S70FS01GSDSBHM213

ចំណែកផ្នែក: 4620

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 80MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34MS01G204BHI013

S34MS01G204BHI013

ចំណែកផ្នែក: 9552

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
STK14CA8-RF35I

STK14CA8-RF35I

ចំណែកផ្នែក: 5871

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 35ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា