ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអុបទិក - ឆ្លុះបញ្ចាំង - លទ្ធផលអាណាឡ

OPB707B

ចំណែកផ្នែក: 2721

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.050" (1.27mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 125mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB743

ចំណែកផ្នែក: 35446

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.150" (3.81mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 40mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB748WZ

ចំណែកផ្នែក: 16521

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.300" (7.62mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 40mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Transistor, Base-Emitter Resistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB701ALZ

ចំណែកផ្នែក: 7477

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.200" (5.08mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 100mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB606A

ចំណែកផ្នែក: 63141

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.050" (1.27mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB704WZ

ចំណែកផ្នែក: 20528

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.149" (3.8mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 40mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB745WZ

ចំណែកផ្នែក: 18695

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.150" (3.81mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 40mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB70BWZ

ចំណែកផ្នែក: 2782

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.150" (3.81mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 40mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Transistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB606C

ចំណែកផ្នែក: 63227

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.050" (1.27mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

OPB750N

ចំណែកផ្នែក: 17452

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.220" (5.59mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ITR20002

ចំណែកផ្នែក: 191979

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.236" (6mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ITR20501

ចំណែកផ្នែក: 134254

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ITR20004

ចំណែកផ្នែក: 2780

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ITR20510/TR8

ចំណែកផ្នែក: 110752

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RPR-220C1N

ចំណែកផ្នែក: 2712

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.236" (6mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 30mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SFH 9202-3/4-Z

ចំណែកផ្នែក: 2708

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SFH 9245

ចំណែកផ្នែក: 2760

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 5V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 1mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Transistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SFH 9201-3/4-Z

ចំណែកផ្នែក: 2706

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SFH 9202-4/5-Z

ចំណែកផ្នែក: 2681

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Omron Electronics Inc-EMC Div

SFH 9201-2/3-Z

ចំណែកផ្នែក: 2730

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Finisar Corporation

HVS6003-001

ចំណែកផ្នែក: 2701

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 15mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

EE-SY169A

ចំណែកផ្នែក: 5463

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.157" (4mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Panasonic Electronic Components

CNB10020RL

ចំណែកផ្នែក: 2754

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Panasonic Electronic Components

CNB23010R0LF

ចំណែកផ្នែក: 2746

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Panasonic Electronic Components

CNB1304H

ចំណែកផ្នែក: 23009

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GP2L24

ចំណែកផ្នែក: 4363

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.031" (0.8mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GP2S24ABJ00F

ចំណែកផ្នែក: 2735

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.028" (0.7mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GP2L24J0000F

ចំណែកផ្នែក: 2726

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.028" (0.7mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា