ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 5.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 16V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.85V, 3.15V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 5.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.5V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 5.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10.8V ~ 13.2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 11V ~ 50V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1V, 2.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.25V ~ 15V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.16V, 2.08V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4V ~ 14V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1V, 4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 4, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.75V ~ 28V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 7V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4V ~ 15V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.1V, 2.7V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 17V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 2.4V, 5.8V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 9V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 13.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.85V, 3.25V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8V ~ 48V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 35V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 16.6V,
