Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - អាយអេសប៊ី - តែមួយ

IRG8CH137K10F
Infineon Technologies

IRG8CH137K10F

ចំណែកផ្នែក: 3631

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 150A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IGC27T120T8LX1SA2
Infineon Technologies

IGC27T120T8LX1SA2

ចំណែកផ្នែក: 116

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.07V @ 15V, 25A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IRG8CH97K10F
Infineon Technologies

IRG8CH97K10F

ចំណែកផ្នែក: 4862

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 100A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IGC18T120T8QX1SA1
Infineon Technologies

IGC18T120T8QX1SA1

ចំណែកផ្នែក: 154

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.42V @ 15V, 15A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IRG8CH50K10F
Infineon Technologies

IRG8CH50K10F

ចំណែកផ្នែក: 8584

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 50A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IGC36T120T8LX1SA1
Infineon Technologies

IGC36T120T8LX1SA1

ចំណែកផ្នែក: 99

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 105A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.07V @ 15V, 35A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IKW40N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKW40N65ES5XKSA1

ចំណែកផ្នែក: 14683

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 79A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 160A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 230W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D5BDPQ-E0#T2

ចំណែកផ្នែក: 13989

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 37A, ថាមពល - អតិបរមា: 200W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
RJH60F0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60F0DPK-00#T0

ចំណែកផ្នែក: 18399

ប្រភេទ IGBT: Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.82V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 201.6W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJP60D0DPK-00#T0

ចំណែកផ្នែក: 22130

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 45A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.2V @ 15V, 22A, ថាមពល - អតិបរមា: 140W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IXGH4N250C
IXYS

IXGH4N250C

ចំណែកផ្នែក: 4672

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 2500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 13A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 46A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 6V @ 15V, 4A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IXYL40N250CV1
IXYS

IXYL40N250CV1

ចំណែកផ្នែក: 1018

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 2500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 400A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 4V @ 15V, 40A, ថាមពល - អតិបរមា: 577W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IXYA8N90C3D1
IXYS

IXYA8N90C3D1

ចំណែកផ្នែក: 20138

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 900V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 48A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 8A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IXGH28N120BD1
IXYS

IXGH28N120BD1

ចំណែកផ្នែក: 5867

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.5V @ 15V, 28A, ថាមពល - អតិបរមា: 250W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IXGX75N250
IXYS

IXGX75N250

ចំណែកផ្នែក: 965

ប្រភេទ IGBT: NPT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 2500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 170A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 530A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3.6V @ 15V, 150A, ថាមពល - អតិបរមា: 780W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IXBL64N250
IXYS

IXBL64N250

ចំណែកផ្នែក: 1346

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 2500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 116A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 750A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 3V @ 15V, 64A, ថាមពល - អតិបរមា: 500W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IXYX25N250CV1HV
IXYS

IXYX25N250CV1HV

ចំណែកផ្នែក: 1951

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 2500V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 95A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 235A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 4V @ 15V, 25A, ថាមពល - អតិបរមា: 937W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IXGH48N60C3
IXYS

IXGH48N60C3

ចំណែកផ្នែក: 12225

ប្រភេទ IGBT: PT, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 75A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 250A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 300W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGP14NC60KD
STMicroelectronics

STGP14NC60KD

ចំណែកផ្នែក: 45549

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 50A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.5V @ 15V, 7A, ថាមពល - អតិបរមា: 80W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGWT80V60DF
STMicroelectronics

STGWT80V60DF

ចំណែកផ្នែក: 8451

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 469W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGWT80H65DFB
STMicroelectronics

STGWT80H65DFB

ចំណែកផ្នែក: 9828

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 120A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 240A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 80A, ថាមពល - អតិបរមា: 469W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGWF30NC60S
STMicroelectronics

STGWF30NC60S

ចំណែកផ្នែក: 19536

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 35A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 150A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 79W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGFW30V60DF
STMicroelectronics

STGFW30V60DF

ចំណែកផ្នែក: 17582

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 58W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics

STGB10NB37LZT4

ចំណែកផ្នែក: 53513

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 440V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.8V @ 4.5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGB19NC60KDT4
STMicroelectronics

STGB19NC60KDT4

ចំណែកផ្នែក: 27116

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 35A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 75A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.75V @ 15V, 12A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGF20NB60S
STMicroelectronics

STGF20NB60S

ចំណែកផ្នែក: 24023

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 24A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 70A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 40W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGW35NB60SD
STMicroelectronics

STGW35NB60SD

ចំណែកផ្នែក: 12594

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 250A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 200W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STGB18N40LZT4
STMicroelectronics

STGB18N40LZT4

ចំណែកផ្នែក: 81563

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 420V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 40A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.7V @ 4.5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

ចំណែកផ្នែក: 43676

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2V @ 15V, 35A,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

ចំណែកផ្នែក: 13542

ប្រភេទ IGBT: NPT and Trench, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1200V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.65V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 312W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

ចំណែកផ្នែក: 7369

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 60A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 90A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.4V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 480W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
RGTH40TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 25319

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 40A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 80A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 20A, ថាមពល - អតិបរមា: 144W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

ចំណែកផ្នែក: 14392

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 85A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 200A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.1V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 277W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
RGPR30NS40HRTL
Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

ចំណែកផ្នែក: 77

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 430V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.0V @ 5V, 10A, ថាមពល - អតិបរមា: 125W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

ចំណែកផ្នែក: 110

ប្រភេទ IGBT: Trench Field Stop, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 650V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 33A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 120A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 1.9V @ 15V, 30A, ថាមពល - អតិបរមា: 72W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MGD623N
Sanken

MGD623N

ចំណែកផ្នែក: 30626

វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 600V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50A, បច្ចុប្បន្ន - អ្នកប្រមូលបានបណ្តេញចេញ (Icm): 100A, វីស (លើ) (អតិបរមា) @ វ៉េកអាយខ: 2.3V @ 15V, 50A, ថាមពល - អតិបរមា: 150W,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា