Menu
CambodiaCambodia
0RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីដូស - ឧបករណ៍ធ្វើក្រឡុក - តែមួយ

1N6482HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6482HE3/96

ចំណែកផ្នែក: 159900

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6484HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484HE3/96

ចំណែកផ្នែក: 140677

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6480HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6480HE3/96

ចំណែកផ្នែក: 147864

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6478HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6478HE3/96

ចំណែកផ្នែក: 111745

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6483HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6483HE3/96

ចំណែកផ្នែក: 135734

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6479HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479HE3/96

ចំណែកផ្នែក: 100461

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6481HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481HE3/96

ចំណែកផ្នែក: 150333

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6478HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6478HE3/97

ចំណែកផ្នែក: 115842

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6482HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6482HE3/97

ចំណែកផ្នែក: 156691

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6479HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479HE3/97

ចំណែកផ្នែក: 148964

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6481HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481HE3/97

ចំណែកផ្នែក: 195545

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6483HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6483HE3/97

ចំណែកផ្នែក: 120678

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 800V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6484HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484HE3/97

ចំណែកផ្នែក: 129912

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6480HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6480HE3/97

ចំណែកផ្នែក: 176113

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4007GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 141116

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4001GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPE-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 161330

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4002GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPE-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 127765

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4007GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 167444

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N3957GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3957GP-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 187237

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4002GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002GPE-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 161494

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4004GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 114412

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4001GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GPE-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 196035

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4004GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 189174

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4005GPE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPE-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 155608

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N3613GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3613GP-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 184310

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N3611GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3611GP-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 175252

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N3612GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N3612GP-E3/73

ចំណែកផ្នែក: 173205

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4003GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPE-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 113860

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4005GPE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPE-E3/54

ចំណែកផ្នែក: 127244

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 2µs,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6479-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479-E3/96

ចំណែកផ្នែក: 173069

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4148
ON Semiconductor

1N4148

ចំណែកផ្នែក: 140316

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 200mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4ns,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N5819HW-7-F
Diodes Incorporated

1N5819HW-7-F

ចំណែកផ្នែក: 103096

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 450mV @ 1A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4148WS-7-F
Diodes Incorporated

1N4148WS-7-F

ចំណែកផ្នែក: 121095

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 75V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 150mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 150mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4ns,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N4004-T
Diodes Incorporated

1N4004-T

ចំណែកផ្នែក: 181587

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 1A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 1A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1SS355TE-17
Rohm Semiconductor

1SS355TE-17

ចំណែកផ្នែក: 140641

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 100mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4ns,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

ចំណែកផ្នែក: 126326

ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - ចំណាត់ថ្នាក់មធ្យម (អាយ): 100mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ពេលវេលានៃការស្តារឡើងវិញ (ទ្រី): 4ns,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា