ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអុបទិក - ម៉ាស៊ីនព្រីនធឺរទ័រ - ប្រភេ

OPB840W55Z

ចំណែកផ្នែក: 18528

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB870T55

ចំណែកផ្នែក: 35986

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB880N55Z

ចំណែកផ្នែក: 20344

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB841W55Z

ចំណែកផ្នែក: 18199

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB830L55

ចំណែកផ្នែក: 34614

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB857Z

ចំណែកផ្នែក: 14573

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.150" (3.81mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB100-SZ

ចំណែកផ្នែក: 24326

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 12" (304.8mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 100mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB800L55

ចំណែកផ្នែក: 32638

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.375" (9.53mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB620

ចំណែកផ្នែក: 51586

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.190" (4.83mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, Base-Emitter Resistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

OPB880T11Z

ចំណែកផ្នែក: 17711

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB829CZ

ចំណែកផ្នែក: 22282

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB920AZ

ចំណែកផ្នែក: 14181

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Totem Pole, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 20mA,

OPB350L062

ចំណែកផ្នែក: 15297

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.063" (1.6mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Liquid, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB850A

ចំណែកផ្នែក: 29119

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Optical Flag, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

OPB375T55

ចំណែកផ្នែក: 39878

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB840L51

ចំណែកផ្នែក: 30611

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB880N11Z

ចំណែកផ្នែក: 17081

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

OPB870T11

ចំណែកផ្នែក: 31800

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1106

ចំណែកផ្នែក: 36662

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX1161-W11

ចំណែកផ្នែក: 5717

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.126" (3.2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

EE-SX954P-W 1M

ចំណែកផ្នែក: 2945

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

EESX951R 1M

ចំណែកផ្នែក: 2754

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

E4TT-MM4A-CS3M010

ចំណែកផ្នែក: 601

E4T0-MSE-FA

ចំណែកផ្នែក: 712

EE-SX952-W 3M

ចំណែកផ្នែក: 2589

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

EE-SX951-R 1M

ចំណែកផ្នែក: 2792

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

EE-SX954-W 1M

ចំណែកផ្នែក: 2944

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.197" (5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 24V,

GP1S092HCPIF

ចំណែកផ្នែក: 177339

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.079" (2mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

GP1S196HCPSF

ចំណែកផ្នែក: 161

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.043" (1.1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V,

TCUT1350X01

ចំណែកផ្នែក: 99652

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

TCUT1630X01

ចំណែកផ្នែក: 4829

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 25mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V,

TCST2103

ចំណែកផ្នែក: 39418

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 3.1mm, វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 60mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 4mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 70V,

RPI-128

ចំណែកផ្នែក: 85181

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.047" (1.2mm), ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

RPI-130

ចំណែកផ្នែក: 83255

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.047" (1.2mm), ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Transistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA1888-011

ចំណែកផ្នែក: 9689

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.472" (12mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,

HOA1887-012

ចំណែកផ្នែក: 6627

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.125" (3.18mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Transmissive, ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធលទ្ធផល: Phototransistor, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V,