ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

DMN601DWK-7

ចំណែកផ្នែក: 176941

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 305mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMN5L06DMK-7

ចំណែកផ្នែក: 107540

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 305mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMN2050LFDB-7

ចំណែកផ្នែក: 105819

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMN2004DMK-7

ចំណែកផ្នែក: 125678

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 540mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SQJB70EP-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 113439

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11.3A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI4936BDY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 168524

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI1965DH-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 100544

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SIA911ADJ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 139873

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SQJ990EP-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 141592

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 34A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SQ1563AEH-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 2535

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 850mA (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SIA537EDJ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 157576

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI5513CDC-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 193923

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, 3.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SQJQ904E-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 54848

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI1926DL-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 150474

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 370mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SI7212DN-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 57376

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.6V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF9956TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 162504

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF7301TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 199318

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 700mV @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF3575DTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 34855

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 303A (Tc),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF7324TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 97929

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N06S2L35ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 145368

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 27µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IRF7103TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 149977

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

IPG20N06S2L50ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 152225

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 19µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

ចំណែកផ្នែក: 96459

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

ចំណែកផ្នែក: 138723

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

ចំណែកផ្នែក: 166276

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SSM6N57NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 182932

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

ចំណែកផ្នែក: 151036

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, 7.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 100µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

ចំណែកផ្នែក: 164511

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 170mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NTMD4N03R2G

ចំណែកផ្នែក: 117636

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FDS6911

ចំណែកផ្នែក: 99941

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FDMD8630

ចំណែកផ្នែក: 2633

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 38A (Ta), 167A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FDS6975

ចំណែកផ្នែក: 115211

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FDS4897C

ចំណែកផ្នែក: 170499

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.2A, 4.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា