ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

FDMS3660S

ចំណែកផ្នែក: 144159

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

FDMD8440L

ចំណែកផ្នែក: 9941

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 21A (Ta), 87A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMS3686S

ចំណែកផ្នែក: 98643

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 23A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

SQJ500EPTR

ចំណែកផ្នែក: 2970

VEC2616-TL-H-Z-W

ចំណែកផ្នែក: 9922

NTMFD4902NFT3G

ចំណែកផ្នែក: 98047

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), Schottky, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10.3A, 13.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

SSD2007ATF

ចំណែកផ្នែក: 2977

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2G

ចំណែកផ្នែក: 2922

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

FDS3992

ចំណែកផ្នែក: 87571

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

DMP2100UFU-7

ចំណែកផ្នែក: 117570

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.4V @ 250µA,

DMN3035LWN-13

ចំណែកផ្នែក: 145981

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

ZXMP3A17DN8TA

ចំណែកផ្នែក: 244

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.4A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

DMC1015UPD-13

ចំណែកផ្នែក: 169319

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.5A, 6.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ZXMN6A11DN8TA

ចំណែកផ្នែក: 147954

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

DMN2013UFX-7

ចំណែកផ្នែក: 253

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 250µA,

DMN5010VAK-7

ចំណែកផ្នែក: 199988

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 280mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

DMT3011LDT-7

ចំណែកផ្នែក: 180855

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, 10.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMN33D8LDW-13

ចំណែកផ្នែក: 118190

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

DMN2010UDZ-7

ចំណែកផ្នែក: 191315

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 24V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

TSM500P02DCQ RFG

ចំណែកផ្នែក: 277

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 800mV @ 250µA,

SI4818DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2959

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 800mV @ 250µA (Min),

SQ4937EY-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 10827

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

SI4931DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 180805

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 350µA,

SI7964DP-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 3339

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4.5V @ 250µA,

SI7220DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 86597

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI7905DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 73616

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SQJ912AEP-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 141553

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

SI3585CDV-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 112724

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.9A, 2.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

STL40C30H3LL

ចំណែកផ្នែក: 125159

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

STL50DN6F7

ចំណែកផ្នែក: 167699

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 57A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

GMM3X120-0075X2-SMDSAM

ចំណែកផ្នែក: 3120

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 110A, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

VBH40-05B

ចំណែកផ្នែក: 905

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 8mA,

EPC2102ENGRT

ចំណែកផ្នែក: 14073

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 23A (Tj), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 7mA,

PMDPB42UN,115

ចំណែកផ្នែក: 2988

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

IRF7901D1TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2974

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

CMLDM8005 TR

ចំណែកផ្នែក: 138392

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 650mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,