ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

UT6MA3TCR

ចំណែកផ្នែក: 168810

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 1mA,

US6K4TR

ចំណែកផ្នែក: 182371

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

SI4963BDY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 147270

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.4V @ 250µA,

SI1926DL-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 137693

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 370mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

SQJQ906E-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 8627

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 250µA,

SI4542DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 5348

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

SIZ320DT-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 9923

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A (Tc), 40A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

SIZ926DT-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 127180

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A (Tc), 60A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

DMP2100UFU-13

ចំណែកផ្នែក: 120668

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.4V @ 250µA,

DMP56D0UV-7

ចំណែកផ្នែក: 162948

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 160mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

DMTH4011SPDQ-13

ចំណែកផ្នែក: 10790

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11.1A (Ta), 42A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

DMN1033UCB4-7

ចំណែកផ្នែក: 176877

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate,

DMN62D0UT-7

ចំណែកផ្នែក: 168813

DMP4050SSD-13

ចំណែកផ្នែក: 182962

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMP4050SSDQ-13

ចំណែកផ្នែក: 118936

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMN2990UDJ-7

ចំណែកផ្នែក: 123709

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 450mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

DMC1028UFDB-13

ចំណែកផ្នែក: 170162

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, 3.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

DMC31D5UDJ-7

ចំណែកផ្នែក: 115591

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 220mA, 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

DMN5L06DWK-7

ចំណែកផ្នែក: 166070

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 305mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

DMN3032LFDBQ-13

ចំណែកផ្នែក: 174423

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.2A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

FDS8984_F123

ចំណែកផ្នែក: 2990

NTTFS5C466NLTAG

ចំណែកផ្នែក: 287

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Ta), 51A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

FDMC8032L

ចំណែកផ្នែក: 190294

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NTZD3155CT5G

ចំណែកផ្នែក: 3321

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 540mA, 430mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

NTHD4401PT3G

ចំណែកផ្នែក: 2940

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

NVMFD5C478NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 6504

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10.5A (Ta), 29A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 20µA,

SSD2009ATF

ចំណែកផ្នែក: 2953

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

HCT802TXV

ចំណែកផ្នែក: 1527

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 90V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A, 1.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

VMM90-09F

ចំណែកផ្នែក: 423

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 85A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 65A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 30mA,

GWM180-004X2-SMDSAM

ចំណែកផ្នែក: 3093

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4.5V @ 1mA,

VMM1500-0075P

ចំណែកផ្នែក: 2957

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1500A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 1200A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 10mA,

CAS325M12HM2

ចំណែកផ្នែក: 70

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 444A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 400A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 105mA,

FCAB21490L1

ចំណែកផ្នែក: 124322

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.4V @ 1.11mA,

SSM6L35FU(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 156233

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180mA, 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

EPC2103ENGRT

ចំណែកផ្នែក: 13895

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: GaNFET (Gallium Nitride), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 23A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 7mA,

STS8C5H30L

ចំណែកផ្នែក: 97728

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, 5.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,