ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីផូឡា (ប៊ីជេធី) - អារេ, បុរេលំអៀ

PRMD12Z

ចំណែកផ្នែក: 159132

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PEMD16,115

ចំណែកផ្នែក: 123218

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PEMF21,115

ចំណែកផ្នែក: 103827

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 12V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PUMH9,125

ចំណែកផ្នែក: 110182

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PBLS1501V,115

ចំណែកផ្នែក: 1473

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 15V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PEMH10,115

ចំណែកផ្នែក: 174449

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSTB60BDW1T1

ចំណែកផ្នែក: 3141

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MUN5211DW1T1G

ចំណែកផ្នែក: 163042

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSBC143EPDP6T5G

ចំណែកផ្នែក: 123578

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSBC123EPDXV6T1

ចំណែកផ្នែក: 1438

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSBC124EDP6T5G

ចំណែកផ្នែក: 164714

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MUN5335DW1T1G

ចំណែកផ្នែក: 190768

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSBC124EPDXV6T5G

ចំណែកផ្នែក: 134086

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MUN5211DW1T1

ចំណែកផ្នែក: 1438

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSBC123EPDXV6T1G

ចំណែកផ្នែក: 1489

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MUN5137DW1T1

ចំណែកផ្នែក: 1469

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

XN0621300L

ចំណែកផ្នែក: 1410

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

XN0421L00L

ចំណែកផ្នែក: 122125

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

UP0339700L

ចំណែកផ្នែក: 1380

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 30V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

XP0428600L

ចំណែកផ្នែក: 1508

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMA564050R

ចំណែកផ្នែក: 171172

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

XN0431200L

ចំណែកផ្នែក: 1427

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

XP0411200L

ចំណែកផ្នែក: 1450

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDC124EU-7

ចំណែកផ្នែក: 1456

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDA144EH-7

ចំណែកផ្នែក: 174734

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDA114TH-7

ចំណែកផ្នែក: 105772

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDA143TU-7-F

ចំណែកផ្នែក: 181739

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DCX144EK-7-F

ចំណែកផ្នែក: 110634

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDC122TH-7

ចំណែកផ្នែក: 185728

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 220 Ohms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា