ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីផូឡា (ប៊ីជេធី) - អារេ, បុរេលំអៀ

DMA561090R

ចំណែកផ្នែក: 119595

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMG964050R

ចំណែកផ្នែក: 154850

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMA561030R

ចំណែកផ្នែក: 111910

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMG963030R

ចំណែកផ្នែក: 188298

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMG564H30R

ចំណែកផ្នែក: 146273

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMC266030R

ចំណែកផ្នែក: 166926

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMG563020R

ចំណែកផ្នែក: 198087

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMA564030R

ចំណែកផ្នែក: 111285

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DMA566010R

ចំណែកផ្នែក: 179624

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IMH3AT110

ចំណែកផ្នែក: 192206

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IMH2AT110

ចំណែកផ្នែក: 134494

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

UMA4NTR

ចំណែកផ្នែក: 125253

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

EMH4T2R

ចំណែកផ្នែក: 118813

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

IMD2AT108

ចំណែកផ្នែក: 169573

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

EMD12T2R

ចំណែកផ្នែក: 101992

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

UMA9NTR

ចំណែកផ្នែក: 166603

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

RN4602TE85LF

ចំណែកផ្នែក: 138

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

RN1511(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 136

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

RN2963(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 77

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

RN1610(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 111

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

RN1964TE85LF

ចំណែកផ្នែក: 84

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

RN2703JE(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 92

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

RN4603(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 170

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PBLS2022D,115

ចំណែកផ្នែក: 154208

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 1.8A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 20V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PUMD9,135

ចំណែកផ្នែក: 141605

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PUMD2,125

ចំណែកផ្នែក: 161403

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PEMH30,315

ចំណែកផ្នែក: 142391

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PUMD12,135

ចំណែកផ្នែក: 192589

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PUMD3,165

ចំណែកផ្នែក: 154947

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PUMB4,115

ចំណែកផ្នែក: 164327

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MUN5235DW1T1G

ចំណែកផ្នែក: 143243

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSTB1002DXV5T1G

ចំណែកផ្នែក: 198611

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 40V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSBA114TDP6T5G

ចំណែកផ្នែក: 172501

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSVMUN5233DW1T3G

ចំណែកផ្នែក: 143904

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា