Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - អារេ

MAT01GH
Analog Devices Inc.

MAT01GH

ចំណែកផ្នែក: 3534

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual) Matched Pair, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 25mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 800mV @ 1mA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400nA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SSM2212CPZ-RL
Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-RL

ចំណែកផ្នែក: 17521

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 15V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-RL

ចំណែកផ្នែក: 11095

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 60mV @ 100µA, 1mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 3nA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MAT03EHZ
Analog Devices Inc.

MAT03EHZ

ចំណែកផ្នែក: 4479

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 36V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 100mV @ 100µA, 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
UMY1NTR
Rohm Semiconductor

UMY1NTR

ចំណែកផ្នែក: 105089

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP (Emitter Coupled), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
UMB2NFHATN
Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

ចំណែកផ្នែក: 120

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 500µA, 10mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
UMB3NFHATN
Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

ចំណែកផ្នែក: 123

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 250µA, 5mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
PMBT3946VPN,115
Nexperia USA Inc.

PMBT3946VPN,115

ចំណែកផ្នែក: 148127

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
PMP4501V,115
Nexperia USA Inc.

PMP4501V,115

ចំណែកផ្នែក: 117231

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual) Matched Pair, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
PEMZ1,115
Nexperia USA Inc.

PEMZ1,115

ចំណែកផ្នែក: 155883

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 200mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
PMBT3904VS,115
Nexperia USA Inc.

PMBT3904VS,115

ចំណែកផ្នែក: 198170

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
PEMX1,315
Nexperia USA Inc.

PEMX1,315

ចំណែកផ្នែក: 141674

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 200mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
PMP4501QASZ
Nexperia USA Inc.

PMP4501QASZ

ចំណែកផ្នែក: 97

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
PBSS5130PAP,115
Nexperia USA Inc.

PBSS5130PAP,115

ចំណែកផ្នែក: 169332

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 280mV @ 50mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SBC846BPDW1T2G
ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

ចំណែកផ្នែក: 175944

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 65V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NST3946DP6T5G
ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

ចំណែកផ្នែក: 152851

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CPH5505-TL-E
ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 166597

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 230mV @ 30mA, 1.5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NSVBC848CDW1T1G
ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

ចំណែកផ្នែក: 125941

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NSV40300MDR2G
ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

ចំណែកផ្នែក: 148007

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 170mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
EMT1DXV6T1
ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

ចំណែកផ្នែក: 4480

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NST847BDP6T5G
ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

ចំណែកផ្នែក: 165488

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

ចំណែកផ្នែក: 196459

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 65V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 650mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

ចំណែកផ្នែក: 170917

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SBC847BPDW1T1G
ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

ចំណែកផ្នែក: 147868

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FMB5551
ON Semiconductor

FMB5551

ចំណែកផ្នែក: 161037

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 160V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 200mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
ZXTDAM832TA
Diodes Incorporated

ZXTDAM832TA

ចំណែកផ្នែក: 4629

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 4.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 280mV @ 50mA, 4.5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
ZDT705TC
Diodes Incorporated

ZDT705TC

ចំណែកផ្នែក: 4410

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP Darlington (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 120V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2.5V @ 2mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
ZXTP56020FDBQ-7
Diodes Incorporated

ZXTP56020FDBQ-7

ចំណែកផ្នែក: 9974

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 390mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SG2003J-JAN
Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

ចំណែកផ្នែក: 4491

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 7 NPN Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.6V @ 500µA, 350mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SG2803J-883B
Microsemi Corporation

SG2803J-883B

ចំណែកផ្នែក: 4488

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 8 NPN Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.6V @ 500µA, 350mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SMA6010
Sanken

SMA6010

ចំណែកផ្នែក: 14708

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 4A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 6mA, 3A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

ចំណែកផ្នែក: 4365

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

ចំណែកផ្នែក: 167758

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MPQ6700
Central Semiconductor Corp

MPQ6700

ចំណែកផ្នែក: 15034

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN, 2 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 1mA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CA3083
Renesas Electronics America Inc.

CA3083

ចំណែកផ្នែក: 4402

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 5 NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 700mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 3V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
ULN2804A
STMicroelectronics

ULN2804A

ចំណែកផ្នែក: 67807

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 8 NPN Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.6V @ 500µA, 350mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា