ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ, បុរេលំអ

PDTA124XU,115

ចំណែកផ្នែក: 138309

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTA143TT,215

ចំណែកផ្នែក: 119582

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTD113ZTVL

ចំណែកផ្នែក: 102002

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTD113ZUX

ចំណែកផ្នែក: 190677

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTC114YU,115

ចំណែកផ្នែក: 148458

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTA123JTVL

ចំណែកផ្នែក: 114213

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTA144WT,215

ចំណែកផ្នែក: 175058

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTB113ET,215

ចំណែកផ្នែក: 108506

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTB122JKT146

ចំណែកផ្នែក: 143747

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 220 Ohms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTC144EUAT106

ចំណែកផ្នែក: 105947

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTC114TUAT106

ចំណែកផ្នែក: 150976

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTA144WETL

ចំណែកផ្នែក: 192484

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTC014EEBTL

ចំណែកផ្នែក: 160556

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 50mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTA143ZEBTL

ចំណែកផ្នែក: 137792

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTA023JEBTL

ចំណែកផ្នែក: 168029

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTA014YEBTL

ចំណែកផ្នែក: 155784

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 70mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTC143XUBTL

ចំណែកផ្នែក: 112741

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTC143ZKAT146

ចំណែកផ្នែក: 124344

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DDTD123TC-7-F

ចំណែកផ្នែក: 139093

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DDTC114EUA-7-F

ចំណែកផ្នែក: 175275

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DDTA113TUA-7-F

ចំណែកផ្នែក: 116756

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MUN2130T1G

ចំណែកផ្នែក: 154864

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MUN2111T3G

ចំណែកផ្នែក: 1919

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DTA123JET1G

ចំណែកផ្នែក: 1906

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FJY4008R

ចំណែកផ្នែក: 1934

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MUN5111T1G

ចំណែកផ្នែក: 120419

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MMUN2111LT3G

ចំណែកផ្នែក: 122130

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MMUN2130LT1

ចំណែកផ្នែក: 1941

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MMUN2211LT1G

ចំណែកផ្នែក: 122504

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SMMUN2211LT3G

ចំណែកផ្នែក: 197863

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SMMUN2134LT1G

ចំណែកផ្នែក: 138104

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

MMUN2130LT1G

ចំណែកផ្នែក: 32318

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា