ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ, បុរេលំអ

DDTC142TU-7-F

ចំណែកផ្នែក: 160563

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 470 Ohms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTC115GCA-7

ចំណែកផ្នែក: 3217

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 100 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTA144TCA-7

ចំណែកផ្នែក: 194982

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTC114TE-7

ចំណែកផ្នែក: 2123

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTC123JLP-7

ចំណែកផ្នែក: 2188

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTA143TUA-7

ចំណែកផ្នែក: 2153

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTA143XE-7

ចំណែកផ្នែក: 2210

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTC114TCA-7-F

ចំណែកផ្នែក: 212

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTA144WUA-7

ចំណែកផ្នែក: 2183

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTA143XCA-7

ចំណែកផ្នែក: 2188

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTA144VE-7

ចំណែកផ្នែក: 2150

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DDTC114YUA-7

ចំណែកផ្នែក: 2197

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRA9123E0L

ចំណែកផ្នែក: 183530

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRA5152Z0L

ចំណែកផ្នែក: 146830

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 510 Ohms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 5.1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRA5114T0L

ចំណែកផ្នែក: 153704

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRA9A14Y0L

ចំណែកផ្នែក: 119139

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRA9123J0L

ចំណែកផ្នែក: 104608

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRA5115G0L

ចំណែកផ្នែក: 156866

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 100 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRC2543E0L

ចំណែកផ្នែក: 150394

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

UNR32A600L

ចំណែកផ្នែក: 2232

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRC2114T0L

ចំណែកផ្នែក: 149582

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

DRA2533Q0L

ចំណែកផ្នែក: 190601

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 3.1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.6 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SMUN5111T1G

ចំណែកផ្នែក: 144379

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FJN4309RBU

ចំណែកផ្នែក: 2303

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

NSBA144WF3T5G

ចំណែកផ្នែក: 125151

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FJNS4214RBU

ចំណែកផ្នែក: 2268

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FJN4313RBU

ចំណែកផ្នែក: 3261

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

FJN3302RBU

ចំណែកផ្នែក: 2296

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTA123EE,115

ចំណែកផ្នែក: 2174

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTC143XEF,115

ចំណែកផ្នែក: 2286

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTC144WE,115

ចំណែកផ្នែក: 2179

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

PDTA143EE,115

ចំណែកផ្នែក: 2169

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា