Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ

VS-16CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080S-M3

ចំណែកផ្នែក: 85835

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-011HN3

ចំណែកផ្នែក: 40430

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 810mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
VS-15CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRR-M3

ចំណែកផ្នែក: 91136

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 7.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 550mV @ 7.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRLHM3

ចំណែកផ្នែក: 52402

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 25V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 490mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTR-M3

ចំណែកផ្នែក: 159302

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01-M3/86A

ចំណែកផ្នែក: 186384

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 950mV @ 2A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRLHM3

ចំណែកផ្នែក: 52472

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 490mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025-1HM3

ចំណែកផ្នែក: 63269

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 25V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 490mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SS8P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3_A/I

ចំណែកផ្នែក: 180307

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 580mV @ 4A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRL-M3

ចំណែកផ្នែក: 169876

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 3.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 520mV @ 6A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

ចំណែកផ្នែក: 1374

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 250A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 250A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

ចំណែកផ្នែក: 665

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

ចំណែកផ្នែក: 149

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 850mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBR1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

ចំណែកផ្នែក: 160

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 7.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

ចំណែកផ្នែក: 130

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 90V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 950mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

ចំណែកផ្នែក: 73

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 950mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

ចំណែកផ្នែក: 106

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

ចំណែកផ្នែក: 156

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 550mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

ចំណែកផ្នែក: 104

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 16A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 550mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

ចំណែកផ្នែក: 130

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

ចំណែកផ្នែក: 78

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.05V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

ចំណែកផ្នែក: 119

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 850mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

ចំណែកផ្នែក: 96

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

ចំណែកផ្នែក: 107

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 850mV @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

ចំណែកផ្នែក: 128

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.05V @ 7.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SRS16100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

ចំណែកផ្នែក: 79

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 16A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

ចំណែកផ្នែក: 145

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 25A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 820mV @ 12.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

ចំណែកផ្នែក: 106

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 16A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 8A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40M45CG-TR

ចំណែកផ្នែក: 94309

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: FERD (Field Effect Rectifier Diode), វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 500mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics

STTH2003CGY-TR

ចំណែកផ្នែក: 51763

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 300V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

ចំណែកផ្នែក: 146

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 3 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 80mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CDBD20100-HF
Comchip Technology

CDBD20100-HF

ចំណែកផ្នែក: 101509

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 850mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CDBT-70C-G
Comchip Technology

CDBT-70C-G

ចំណែកផ្នែក: 156683

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 70V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 70mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 15mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CDBV3-54S-G
Comchip Technology

CDBV3-54S-G

ចំណែកផ្នែក: 124599

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CDBD10200-G
Comchip Technology

CDBD10200-G

ចំណែកផ្នែក: 119712

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDWFT1G

ចំណែកផ្នែក: 80

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 2A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 6A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា