ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 100

MBRD660CTG

ចំណែកផ្នែក: 81424

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

ចំណែកផ្នែក: 69

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 4A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.05V @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

ចំណែកផ្នែក: 1564

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

ចំណែកផ្នែក: 1548

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

ចំណែកផ្នែក: 1563

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 150A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

ចំណែកផ្នែក: 1533

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

ចំណែកផ្នែក: 1212

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

ចំណែកផ្នែក: 1519

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

ចំណែកផ្នែក: 3870

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 50A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 700mV @ 50A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

ចំណែកផ្នែក: 1156

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 400A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 200A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

ចំណែកផ្នែក: 3030

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

ចំណែកផ្នែក: 1552

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

ចំណែកផ្នែក: 1213

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

ចំណែកផ្នែក: 972

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 300A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

ចំណែកផ្នែក: 1324

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

ចំណែកផ្នែក: 1192

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, Reverse Polarity, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 500A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 250A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

ចំណែកផ្នែក: 3096

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

ចំណែកផ្នែក: 1844

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 35V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

ចំណែកផ្នែក: 1342

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

ចំណែកផ្នែក: 1491

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

FST160150

ចំណែកផ្នែក: 1636

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 80A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 80A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

ចំណែកផ្នែក: 100592

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 970mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 109388

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 128134

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 730mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 102836

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 580mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 67167

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 620mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

ចំណែកផ្នែក: 116952

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 680mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 121490

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 730mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 47709

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 640mV @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 159782

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.01V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 58911

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 880mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 40301

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 120106

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 90V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 850mV @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

ចំណែកផ្នែក: 157

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

ចំណែកផ្នែក: 152

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.23V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

ចំណែកផ្នែក: 3747

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Silicon Carbide Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.7V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា