ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 100

NRVHP620MFDT1G

ចំណែកផ្នែក: 110114

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 3A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 3A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

NTSV20H120ECTG

ចំណែកផ្នែក: 186022

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050CT C0G

ចំណែកផ្នែក: 153

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 950mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CTHC0G

ចំណែកផ្នែក: 95

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1006GHC0G

ចំណែកផ្នែក: 130

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

STMicroelectronics

STPS1545CG-TR

ចំណែកផ្នែក: 105409

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 7.5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 570mV @ 7.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RB706D-40T146

ចំណែកផ្នែក: 102011

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 40V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 370mV @ 1mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT12020R

ចំណែកផ្នែក: 1833

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A100

ចំណែកផ្នែក: 2757

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 160A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 160A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

FST120200

ចំណែកផ្នែក: 1639

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 60A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 920mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300120(A)D

ចំណែកផ្នែក: 1322

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 300A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR10005CT

ចំណែកផ្នែក: 1579

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 50V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 50A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CT

ចំណែកផ្នែក: 1243

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)D

ចំណែកផ្នែក: 1391

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.1V @ 200A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A06

ចំណែកផ្នែក: 3294

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 600V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 100A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CT

ចំណែកផ្នែក: 1490

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 840mV @ 100A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR12020CTR

ចំណែកផ្នែក: 1553

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 20V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 120A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBR30030CT

ចំណែកផ្នែក: 1489

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 300A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 150A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A10

ចំណែកផ្នែក: 3311

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 2 Independent, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 1000V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 2.35V @ 100A, ល្បឿន: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

MBRT12045

ចំណែកផ្នែក: 1864

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 120A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 60A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

GeneSiC Semiconductor

FST16045

ចំណែកផ្នែក: 1496

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 160A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 750mV @ 160A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1045CBP-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 147491

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 5A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 580mV @ 5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2060G-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 156407

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D45C-M3/I

ចំណែកផ្នែក: 32760

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 640mV @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 141541

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 650mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT4060C-E3/4W

ចំណែកផ្នែក: 69524

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 620mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 118184

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 10A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 810mV @ 10A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 91361

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.43V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT6045C-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 54606

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 30A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 640mV @ 30A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30M120C-M3/4W

ចំណែកផ្នែក: 99774

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 120V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 980mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60CHM3/I

ចំណែកផ្នែក: 108899

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 680mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30D45C-M3/I

ចំណែកផ្នែក: 41859

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 570mV @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SMC Diode Solutions

SBR1545CT

ចំណែកផ្នែក: 121214

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 7.5A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

SMC Diode Solutions

SDURF3040CTR

ចំណែកផ្នែក: 169247

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.45V @ 15A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

SBR40100CT

ចំណែកផ្នែក: 26567

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Super Barrier, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 820mV @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Power Integrations

LQA40T150C

ចំណែកផ្នែក: 36324

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 150V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 20A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា