Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីយ៉ូ - ដាប់ប៊ែល - អារេ

1PS59SB15,115
NXP USA Inc.

1PS59SB15,115

ចំណែកផ្នែក: 4404

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.

1PS59SB14,115

ចំណែកផ្នែក: 4331

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1PS226,115
NXP USA Inc.

1PS226,115

ចំណែកផ្នែក: 4446

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 215mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1PS184,135
NXP USA Inc.

1PS184,135

ចំណែកផ្នែក: 4337

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 215mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1PS184,115
NXP USA Inc.

1PS184,115

ចំណែកផ្នែក: 4473

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 215mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1PS70SB14/ZLX
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLX

ចំណែកផ្នែក: 4330

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1PS70SB14/ZLF
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLF

ចំណែកផ្នែក: 4334

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 200mA (DC), វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 800mV @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS184S,LF(D

ចំណែកផ្នែក: 4245

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1SS412(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS412(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 4112

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1SS360(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS360(T5L,F,T)

ចំណែកផ្នែក: 4169

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1SS302TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302TE85LF

ចំណែកផ្នែក: 162072

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Series Connection, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1SS301SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301SU,LF

ចំណែកផ្នែក: 4015

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 100mA, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 100mA, ល្បឿន: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
1N6659
Microsemi Corporation

1N6659

ចំណែកផ្នែក: 4137

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Anode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 200V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 15A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 20A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

ចំណែកផ្នែក: 3721

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

ចំណែកផ្នែក: 3649

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

ចំណែកផ្នែក: 3669

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 60V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

ចំណែកផ្នែក: 3644

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Standard, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 400V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
110CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

ចំណែកផ្នែក: 3638

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 540mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
110CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

ចំណែកផ្នែក: 3688

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 540mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

ចំណែកផ្នែក: 3674

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 810mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
113CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

ចំណែកផ្នែក: 4418

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 810mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
111CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

ចំណែកផ្នែក: 3691

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 610mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
111CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

ចំណែកផ្នែក: 3663

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 610mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
115CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

ចំណែកផ្នែក: 3629

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 15V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 370mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
112CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

ចំណែកផ្នែក: 3678

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 490mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
112CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

ចំណែកផ្នែក: 3654

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 490mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

ចំណែកផ្នែក: 3703

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 15V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 370mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
113CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

ចំណែកផ្នែក: 3655

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 810mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
110CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

ចំណែកផ្នែក: 3673

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 540mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
112CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

ចំណែកផ្នែក: 3657

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 30V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 490mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
111CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

ចំណែកផ្នែក: 3692

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 45V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 55A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 610mV @ 55A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

ចំណែកផ្នែក: 3680

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

ចំណែកផ្នែក: 3603

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

ចំណែកផ្នែក: 3660

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

ចំណែកផ្នែក: 3603

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 100V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

ចំណែកផ្នែក: 3691

ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធឌីយ៉ូដ: 1 Pair Common Cathode, ប្រភេទឌីយ៉ូដ: Schottky, វ៉ុល - បញ្ច្រាស DC (Vr) (អតិបរមា): 80V, បច្ចុប្បន្ន - មធ្យមចែក (អ៊ី) (ក្នុងមួយឌីយ៉ូ): 8A, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 720mV @ 8A, ល្បឿន: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា