Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

BUK7C1R8-60EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R8-60EJ

ចំណែកផ្នែក: 6258

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK7C1R4-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R4-40EJ

ចំណែកផ្នែក: 2529

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK7C1R2-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R2-40EJ

ចំណែកផ្នែក: 2518

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y9R9-80E,115

ចំណែកផ្នែក: 2547

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y98-80E,115

ចំណែកផ្នែក: 2588

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y7R8-80E,115

ចំណែកផ្នែក: 2582

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R8-40E,127

ចំណែកផ្នែក: 2573

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E8R5-40E,127

ចំណែកផ្នែក: 6339

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK9E6R1-100E,127

ចំណែកផ្នែក: 2510

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R9-60E,127

ចំណែកផ្នែក: 2556

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R4-80E,127

ចំណែកផ្នែក: 2545

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R7-60E,127

ចំណែកផ្នែក: 2588

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R8-60E,127

ចំណែកផ្នែក: 2547

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40E,127

ចំណែកផ្នែក: 2570

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R9-40E,127

ចំណែកផ្នែក: 2502

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R3-40E,127

ចំណែកផ្នែក: 2570

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R6-30E,127

ចំណែកផ្នែក: 2576

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E15-60E,127

ចំណែកផ្នែក: 2588

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 54A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK956R1-100E,127

ចំណែកផ្នែក: 6333

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK958R5-40E,127

ចំណែកផ្នែក: 2510

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK954R4-80E,127

ចំណែកផ្នែក: 2512

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK952R8-60E,127

ចំណែកផ្នែក: 2572

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK952R3-40E,127

ចំណែកផ្នែក: 6262

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK951R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK951R9-40E,127

ចំណែកផ្នែក: 2587

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK951R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK951R6-30E,127

ចំណែកផ្នែក: 6281

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.

BUK7E4R0-80E,127

ចំណែកផ្នែក: 2546

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK9515-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9515-60E,127

ចំណែកផ្នែក: 2529

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 54A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK7E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK7E1R6-30E,127

ចំណែកផ្នែក: 6300

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK753R5-60E,127
NXP USA Inc.

BUK753R5-60E,127

ចំណែកផ្នែក: 2561

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK751R6-30E,127

ចំណែកផ្នែក: 6316

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK7Y08-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y08-40B/C,115

ចំណែកផ្នែក: 2544

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK7Y25-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y25-40B/C,115

ចំណែកផ្នែក: 2544

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 35.3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK655R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK655R0-75C,127

ចំណែកផ្នែក: 2509

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.

BUK654R6-55C,127

ចំណែកផ្នែក: 2550

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.

BUK653R7-30C,127

ចំណែកផ្នែក: 2483

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK654R0-75C,127

ចំណែកផ្នែក: 2520

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា