ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

AOD5T40P_101

ចំណែកផ្នែក: 2281

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.9A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 1A, 10V,

AOD526_DELTA

ចំណែកផ្នែក: 2324

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4TL60

ចំណែកផ្នែក: 6236

AO4476AL_101

ចំណែកផ្នែក: 6299

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO6085N03

ចំណែកផ្នែក: 6236

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6414G

ចំណែកផ្នែក: 2299

AO4476AL

ចំណែកផ្នែក: 2255

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO4476G

ចំណែកផ្នែក: 2332

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

AOD418G

ចំណែកផ្នែក: 2318

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13.5A (Ta), 36A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT240L

ចំណែកផ្នែក: 40984

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Ta), 105A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

AON7418A

ចំណែកផ្នែក: 2224

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6764

ចំណែកផ្នែក: 2273

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 85A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON6372

ចំណែកផ្នែក: 6225

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 47A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AON4605_002

ចំណែកផ្នែក: 2263

AOD4185_DELTA

ចំណែកផ្នែក: 6259

AOD413A_002

ចំណែកផ្នែក: 2224

AO6409_DELTA

ចំណែកផ្នែក: 2305

AO3424_102

ចំណែកផ្នែក: 6306

AO3419_101

ចំណែកផ្នែក: 2233

AO3423_102

ចំណែកផ្នែក: 2275

AO3416_104

ចំណែកផ្នែក: 2284

AO3415L_107

ចំណែកផ្នែក: 2282

AO3415_108

ចំណែកផ្នែក: 6278

AO3406_104

ចំណែកផ្នែក: 2286

AO3409_103

ចំណែកផ្នែក: 2287

AO3404A_104

ចំណែកផ្នែក: 2245

AO3402_103

ចំណែកផ្នែក: 2283

AOD4185L_DELTA

ចំណែកផ្នែក: 2225

AO3400A_101

ចំណែកផ្នែក: 2208

APT5SM170S

ចំណែកផ្នែក: 2313

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1700V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

ចំណែកផ្នែក: 2239

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1700V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

ចំណែកផ្នែក: 2305

បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 700V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 35A,

APT130SM70J

ចំណែកផ្នែក: 2271

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 700V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 78A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

ចំណែកផ្នែក: 2237

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 700V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 110A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

AUXHMF1404ZSTRL

ចំណែកផ្នែក: 6282

AUIRLR024ZTRL

ចំណែកផ្នែក: 141585

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,