ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

3LP01SS-TL-EX

ចំណែកផ្នែក: 2251

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01C-TB-E

ចំណែកផ្នែក: 130398

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01SS-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 174489

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01S-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 1963

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 161259

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 137899

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 133843

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01M-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 111476

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-E

ចំណែកផ្នែក: 1924

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01S-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 1979

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01S-K-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 1806

3LP01M-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 137438

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-H

ចំណែកផ្នែក: 1190

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01SS-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 1133

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 1184

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01C-TB-H

ចំណែកផ្នែក: 1110

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01S-K-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 9511

5LN01C-TB-EX

ចំណែកផ្នែក: 2353

5HN01C-TB-EX

ចំណែកផ្នែក: 2210

5HP01M-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 110639

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 70mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 114622

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 1973

5HP01SS-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 142336

5HP01SS-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 108914

5HP01C-TB-H

ចំណែកផ្នែក: 157648

5HP01M-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 1963

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 70mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 1979

5HP01C-TB-E

ចំណែកផ្នែក: 6246

5HN01SS-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 146833

5HN01SS-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 154338

5HN01M-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 1932

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 102036

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

3N164

ចំណែកផ្នែក: 1783

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163-E3

ចំណែកផ្នែក: 1851

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163

ចំណែកផ្នែក: 1830

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163-2

ចំណែកផ្នែក: 6254

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50mA (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,