| បុម្ពអកសរ | ការបិបន៍នា |
| ស្ថានភាពផ្នែក | Active |
|---|---|
| ប្រភេទហ្វីត | 2 N-Channel (Dual) |
| លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | Logic Level Gate |
| បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) | 30V |
| ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ | 6A |
| Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់ | 2.2V @ 250µA |
| បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ | 320pF @ 15V |
| ថាមពល - អតិបរមា | 10.4W |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ប្រភេទម៉ោន | Surface Mount |
| កញ្ចប់ / ករណី | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់ | PowerPAK® ChipFet Dual |
| ស្ថានភាពរបស់ Rhs | rohs អនុវត្តតាម Rohs |
|---|---|
| កំរិតរសើបសំណើម (MSL) | មិនអាចអនុវត្តបាន |
| ស្ថានភាពជីវិត | ហួសសម័យ / ចុងបញ្ចប់នៃជីវិត |
| ប្រភេទស្តុក | ភាគហ៊ុនដែលមាន |
