| បុម្ពអកសរ | ការបិបន៍នា |
| ស្ថានភាពផ្នែក | Active |
|---|---|
| ប្រភេទហ្វីត | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) | 60V |
| ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ | 9.5A, 38A |
| Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់ | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| ថាមពល - អតិបរមា | - |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ប្រភេទម៉ោន | Surface Mount |
| កញ្ចប់ / ករណី | Die |
| កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់ | Die |
| ស្ថានភាពរបស់ Rhs | rohs អនុវត្តតាម Rohs |
|---|---|
| កំរិតរសើបសំណើម (MSL) | មិនអាចអនុវត្តបាន |
| ស្ថានភាពជីវិត | ហួសសម័យ / ចុងបញ្ចប់នៃជីវិត |
| ប្រភេទស្តុក | ភាគហ៊ុនដែលមាន |
